商品名稱(chēng):NTBLS4D0N15MC
數(shù)據(jù)手冊(cè):NTBLS4D0N15MC.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-PowerSFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
NTBLS4D0N15MC單N溝道MOSFET是一款具有低RDS(ON)的功率MOSFET,可最大限度地降低導(dǎo)通損耗。該MOSFET具有低總柵極電荷 (QG) 和電容,可最大限度地降低驅(qū)動(dòng)器損耗。降低開(kāi)關(guān)噪聲/EMI,具有187A最大連續(xù)漏極電流 (ID) 和150V漏極-源極電壓 (VDSS)。典型音樂(lè)包括電動(dòng)工具、電池供電真空吸塵器、無(wú)人飛行器 (UAV)/無(wú)人機(jī)、材料搬運(yùn)、電池管理系統(tǒng) (BMS)/存儲(chǔ)和家居自動(dòng)化。
產(chǎn)品屬性
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):150 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):19A(Ta),187A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):8V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):4.4毫歐 @ 80A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4,5V @ 584μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):90.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):7490 pF @ 75 V
功率耗散(最大值):3,4W(Ta),316W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:8-HPSOF
封裝/外殼:8-PowerSFN
應(yīng)用
● 電動(dòng)工具
● 電池供電真空吸塵器
● 無(wú)人飛行器 (UAV)/無(wú)人機(jī)
● 材料處理
● 電池管理系統(tǒng) (BMS)/存儲(chǔ)
● 家居自動(dòng)化
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以通過(guò)網(wǎng)站上詢(xún)價(jià),也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢(xún)。
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答:可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶(hù)解決他們?cè)谄?chē)、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時(shí)鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號(hào): LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過(guò)AEC Q101 認(rèn)證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅(jiān)固且具有成本效益的場(chǎng)停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能,具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開(kāi)關(guān)損耗,優(yōu)化了在汽車(chē)應(yīng)用中硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞男阅?。技術(shù)…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅(jiān)固、高性?xún)r(jià)比的場(chǎng)終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開(kāi)關(guān)損耗在汽車(chē)應(yīng)用中提供最佳的硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)湫阅?。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場(chǎng)終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗,可在太陽(yáng)能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效率運(yùn)行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)預(yù)驅(qū)動(dòng)器,專(zhuān)為汽車(chē)電子、工業(yè)控制及消費(fèi)類(lèi)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。電話咨詢(xún):86-755-83294757
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