商品名稱：XMC4402-F64F256 BA
數(shù)據手冊：
XMC4402-F64F256 BA.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：LQFP64
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
XMC4402-F64F256 BA 提供120MHz的核心和外設時鐘速度，具有256kB至512kB的閃存、80kB的RAM和4kB的緩存。多達6個定時器/PWM模塊，2個POSIF，4個12位ADC和4ch ?∑解調器，以及RMII/MII以太網和USB FS OTG。
特征描述
ARM Cortex? - M4，120兆赫茲，包括單周期DSP MAC和浮點運算單元( FPU )
8通道DMA + USB和以太網專用DMA
USIC 4ch [Quad SPI, SCI/UART, I2C, I2S, LIN]
電源電壓范圍：3.13 - 3.63V
USB2.0 全速
CPU 頻率：120MHz
外設計時器：120 [MHZ]
eFlash: 256kB，包括硬件 ECC
80kB SRAM
10/100 以太網 MAC（含 IEEE 1588）
2x CAN, 64 MO
封裝：PG-LQFP-100
4xΔΣ-解調器
溫度范圍：-40°… 85°
潛在應用
電機控制
光伏逆變器
開關式電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA-272
2300
ARM? Cortex?-M0+，ARM? Cortex?-M7 XMC7000 微控制器 IC 32 位雙核 100MHz，350MHz 8.188MB（8.188M x 8） 閃存
INFINEON
QFP-144
2300
ARM? Cortex?-M0+，ARM? Cortex?-M7 XMC7000 微控制器 IC 32 位單核 100MHz，250MHz 4.063MB（4.063M x 8） 閃存
INFINEON
100-LQFP
2000
ARM? Cortex?-M4 XMC4000 微控制器 IC 32 位單核 120MHz 1MB（1M x 8） 閃存 PG-LQFP-100-11
INFINEON
100-LQFP
2000
ARM? Cortex?-M4 XMC4000 微控制器 IC 32 位單核 120MHz 512KB（512K x 8） 閃存 PG-LQFP-100-11
INFINEON
100-LQFP
2000
ARM? Cortex?-M4 XMC4000 微控制器 IC 32 位單核 144MHz 256KB（256K x 8） 閃存 PG-LQFP-100-25
INFINEON
100-LQFP
2000
ARM? Cortex?-M4 XMC4000 微控制器 IC 32 位單核 144MHz 256KB（256K x 8） 閃存 PG-LQFP-100-25
INFINEON
64-LQFP
2000
ARM? Cortex?-M4 XMC4000 微控制器 IC 32 位單核 80MHz 256KB（256K x 8） 閃存 PG-LQFP-64-19
INFINEON
64-LQFP
2000
ARM? Cortex?-M4 XMC4000 微控制器 IC 32 位單核 80MHz 128KB（128K x 8） 閃存 PG-LQFP-64-19
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要，在這些應用中，價格/性能、實時響應性、計算能…
IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，在硬開關應用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格：產品優(yōu)勢具有出色的效率，降低結溫和外殼溫度，從而提高設備可靠性母線電壓可提升50V，同時不影響可靠性更高的功率密度設…
IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V，8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件，具有低飽和壓降VCEsat，可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V（Tvj = 150C）高抗短路能力（8 s）寬的dv/dt 可控范圍應用領域IGD08…
IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V，15 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件，具有低飽和壓降VCEsat，可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。技術參數(shù)IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：34 A電流 - 集…
IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V，8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件，具有低飽和壓降VCEsat，可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。其特征和技術規(guī)格如下：特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V（Tvj = 150C）高抗短路能力（8 s）寬的dv/dt…
IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat，可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格：IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設計降低電磁干擾技術規(guī)格IGBT 類型：-電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (Ic)（最…電話咨詢：86-755-83294757
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