商品名稱：XMC4402-F100K256 BA
數(shù)據(jù)手冊：
XMC4402-F100K256 BA.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：LQFP-100
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：5000 件
XMC4402-F100K256 BA器件是基于ARM Cortex-M4處理器內(nèi)核的XMC4000系列微控制器的成員。XMC4000是一個高性能和高能效的微控制器系列，為工業(yè)連接、工業(yè)控制、電源轉(zhuǎn)換、感應和控制進行了優(yōu)化。
產(chǎn)品屬性
系列： XMC4000
核心處理器： ARM? Cortex?-M4
內(nèi)核規(guī)格： 32 位單核
速度：120MHz
連接能力： CANbus，I2C，LINbus，SPI，UART/USART，USB
外設(shè)： DMA，I2S，LED，POR，PWM，WDT
I/O 數(shù)： 55
程序存儲容量： 256KB（256K x 8）
程序存儲器類型： 閃存
EEPROM 容量： -
RAM 大小： 80K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd) ：3.13V ~ 3.63V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 24x12b; D/A 2x12b
振蕩器類型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 125°C（TA）
安裝類型： 表面貼裝型
封裝/外殼： 100-LQFP 裸露焊盤
供應商器件封裝： PG-LQFP-100-25
基本產(chǎn)品編號： XMC4402
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA-272
2300
ARM? Cortex?-M0+，ARM? Cortex?-M7 XMC7000 微控制器 IC 32 位雙核 100MHz，350MHz 8.188MB（8.188M x 8） 閃存
INFINEON
QFP-144
2300
ARM? Cortex?-M0+，ARM? Cortex?-M7 XMC7000 微控制器 IC 32 位單核 100MHz，250MHz 4.063MB（4.063M x 8） 閃存
INFINEON
100-LQFP
2000
ARM? Cortex?-M4 XMC4000 微控制器 IC 32 位單核 120MHz 1MB（1M x 8） 閃存 PG-LQFP-100-11
INFINEON
100-LQFP
2000
ARM? Cortex?-M4 XMC4000 微控制器 IC 32 位單核 120MHz 512KB（512K x 8） 閃存 PG-LQFP-100-11
INFINEON
100-LQFP
2000
ARM? Cortex?-M4 XMC4000 微控制器 IC 32 位單核 144MHz 256KB（256K x 8） 閃存 PG-LQFP-100-25
INFINEON
100-LQFP
2000
ARM? Cortex?-M4 XMC4000 微控制器 IC 32 位單核 144MHz 256KB（256K x 8） 閃存 PG-LQFP-100-25
INFINEON
64-LQFP
2000
ARM? Cortex?-M4 XMC4000 微控制器 IC 32 位單核 80MHz 256KB（256K x 8） 閃存 PG-LQFP-64-19
INFINEON
64-LQFP
2000
ARM? Cortex?-M4 XMC4000 微控制器 IC 32 位單核 80MHz 128KB（128K x 8） 閃存 PG-LQFP-64-19
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要，在這些應用中，價格/性能、實時響應性、計算能…
IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，在硬開關(guān)應用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格：產(chǎn)品優(yōu)勢具有出色的效率，降低結(jié)溫和外殼溫度，從而提高設(shè)備可靠性母線電壓可提升50V，同時不影響可靠性更高的功率密度設(shè)…
IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V，8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件，具有低飽和壓降VCEsat，可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V（Tvj = 150C）高抗短路能力（8 s）寬的dv/dt 可控范圍應用領(lǐng)域IGD08…
IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V，15 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件，具有低飽和壓降VCEsat，可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：34 A電流 - 集…
IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V，8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件，具有低飽和壓降VCEsat，可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下：特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V（Tvj = 150C）高抗短路能力（8 s）寬的dv/dt…
IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat，可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格：IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類型：-電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (Ic)（最…電話咨詢：86-755-83294757
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