商品名稱：XMC4500-F144F768 AC
數(shù)據(jù)手冊：
XMC4500-F144F768 AC.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：LQFP144
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
XMC4500-F144F768 AC器件是基于ARM Cortex-M4處理器內(nèi)核的XMC4000系列微控制器的成員。XMC4500 控制器具有可配置的外設(shè)功能，可根據(jù)特定應(yīng)用需求調(diào)節(jié)器件。為充分使用這一靈活性，英飛凌提供了一種經(jīng)工業(yè)驗(yàn)證的開發(fā)環(huán)境 DAVE?， 可以為 SW 開發(fā)提供極大便利。
特征
ARM? Cortex?-M4, 120MHz, 包括單周期 DSP MAC 和浮動點(diǎn)單元 (FPU)
符合 IEEE 1588 以太網(wǎng)接口
USB 2.0 全速便攜式
CPU 頻率: 120MHz
eFlash: 768kB 包括硬件 ECC
160kB SRAM
封裝：PG-LQFP-144
4x ΔΣ-解調(diào)器
3x CAN, 64 MO
溫度范圍：-40°......85°
電源電壓范圍：3.13 - 3.63V
USIC 6ch [四 SPI, SCI/UART, I2C, I2S, LIN]
長期可用性 > 15年
潛在應(yīng)用
電動汽車充電
光伏逆變器
開關(guān)式電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA-272
2300
ARM? Cortex?-M0+，ARM? Cortex?-M7 XMC7000 微控制器 IC 32 位雙核 100MHz，350MHz 8.188MB（8.188M x 8） 閃存
INFINEON
QFP-144
2300
ARM? Cortex?-M0+，ARM? Cortex?-M7 XMC7000 微控制器 IC 32 位單核 100MHz，250MHz 4.063MB（4.063M x 8） 閃存
INFINEON
100-LQFP
2000
ARM? Cortex?-M4 XMC4000 微控制器 IC 32 位單核 120MHz 1MB（1M x 8） 閃存 PG-LQFP-100-11
INFINEON
100-LQFP
2000
ARM? Cortex?-M4 XMC4000 微控制器 IC 32 位單核 120MHz 512KB（512K x 8） 閃存 PG-LQFP-100-11
INFINEON
100-LQFP
2000
ARM? Cortex?-M4 XMC4000 微控制器 IC 32 位單核 144MHz 256KB（256K x 8） 閃存 PG-LQFP-100-25
INFINEON
100-LQFP
2000
ARM? Cortex?-M4 XMC4000 微控制器 IC 32 位單核 144MHz 256KB（256K x 8） 閃存 PG-LQFP-100-25
INFINEON
64-LQFP
2000
ARM? Cortex?-M4 XMC4000 微控制器 IC 32 位單核 80MHz 256KB（256K x 8） 閃存 PG-LQFP-64-19
INFINEON
64-LQFP
2000
ARM? Cortex?-M4 XMC4000 微控制器 IC 32 位單核 80MHz 128KB（128K x 8） 閃存 PG-LQFP-64-19
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門，于1999年獨(dú)立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要，在這些應(yīng)用中，價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…
IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，在硬開關(guān)應(yīng)用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格：產(chǎn)品優(yōu)勢具有出色的效率，降低結(jié)溫和外殼溫度，從而提高設(shè)備可靠性母線電壓可提升50V，同時(shí)不影響可靠性更高的功率密度設(shè)…
IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V，8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件，具有低飽和壓降VCEsat，可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V（Tvj = 150C）高抗短路能力（8 s）寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…
IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V，15 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件，具有低飽和壓降VCEsat，可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：34 A電流 - 集…
IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V，8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件，具有低飽和壓降VCEsat，可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下：特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V（Tvj = 150C）高抗短路能力（8 s）寬的dv/dt…
IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat，可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格：IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計(jì)降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類型：-電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (Ic)（最…電話咨詢：86-755-83294757
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