商品名稱：STGWA15H120DF2
品牌：ST
年份：24+
封裝：TO-247-3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
STGWA15H120DF2 是采用先進的專有溝槽柵場停結構開發(fā)的 IGBT。STGWA15H120DF2 屬于改進型 H 系列 IGBT，是傳導損耗和開關損耗之間的最佳折衷方案，可最大限度地提高高頻轉換器的效率。
特點
最高結溫： TJ = 175 °C
高速開關系列
尾電流最小
VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 15 A
TJ=150 °C 時的最短短路耐受時間為 5 μs
安全并聯(lián)
恢復速度極快的反并聯(lián)二極管
熱阻低
應用
不間斷電源
焊接機
光伏逆變器
功率因數(shù)校正
高頻轉換器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導體（ST）集團于1987年成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%；營業(yè)…
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STW3N150是意法半導體的一款N溝道功率MOSFET，采用TO-247-3封裝，屬于MDmesh?系列，適用于高電壓、大功率應用。
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