IXYH30N120C4H1 - 1200V、30A XPT? Gen4 IGBT 晶體管，帶聲波二極管
產品描述
IXYH30N120C4H1 - 這些器件采用我們專有的 XPT? 薄晶片技術和最先進的溝槽式 IGBT 工藝開發(fā)而成，具有熱阻小、能量損耗低、開關速度快、尾電流低和電流密度高等特點。
產品特性
針對 20-50 kHz 開關進行了優(yōu)化
高浪涌電流能力
方形 RBSOA
國際標準封裝
反并聯聲波二極管
應用
電源逆變器
不間斷電源
電機驅動器
SMPS
PFC 電路
電池充電器
焊接機
型號
品牌
封裝
數量
描述
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IXYS（中文名： 艾賽斯）總部位于美國硅谷，1983年成立，主營：MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領域，產品技術特點為高壓、高功率，涵蓋了…
IXFX230N20T
IXFX230N20T是一款高性能功率 MOSFET，專為高電流和高電壓應用設計。
VUO36-16NO8
VUO36-16NO8是一款高性能三相橋式整流器，專為高電壓、高電流的應用場景設計。
IXSH80N120L2KHV
IXSH80N120L2KHV是一款1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管，其導通電阻（RDS(on)）為30mΩ，這意味著在導通狀態(tài)下，器件的電阻較小，有助于減少能量損耗。該IXSH80N120L2KHV器件適用于需要高效率、快速開關和低損耗的應用，如車載充電器、電動汽車/混合動力汽車的DC/DC變換…
IXSH40N120L2KHV
IXSH40N120L2KHV是一款工業(yè)級SiC MOSFET，其耐壓值為1200V，具有低導通電阻和高速開關特性，適用于高功率應用場景。IXSH40N120L2KHV具有較低的導通電阻，有助于減少能量損耗，提高系統(tǒng)效率?。技術參數產品：IXSH40N120L2KHV封裝 / 箱體：TO-247-4L晶體管極性：N-Channel…
IXSA80N120L2-7
IXSA80N120L2-7是一款工業(yè)級、單開關SiC MOSFET，具有低損耗、快速切換的特性，適用于高速度工業(yè)開關模式電源供應。主要特性低導通損耗?：IXSA80N120L2-7的導通損耗非常低，具體為30m?。低柵極驅動功率要求?：柵極驅動電壓范圍為-3/+15到18V。低熱管理需求?：該MOSFE…
IXSA40N120L2-7
IXSA40N120L2-7是一款工業(yè)級單管碳化硅MOSFET（SiC MOSFET），具有優(yōu)異的功率循環(huán)特性和快速、低損耗的開關行為。應用領域IXSA40N120L2-7適用于多種高功率和高頻率的應用場景，包括：太陽能逆變器開關模式電源不間斷電源電機驅動DC/DC轉換器電動汽車充電基礎設施感應加熱…電話咨詢：86-755-83294757
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