NCV51705MNTWG - 單通道 6A 高速、低側(cè) SiC MOSFET 柵極驅(qū)動器
產(chǎn)品概覽
NCV51705MNTWG 主要用于驅(qū)動 SiC MOSFET 晶體管。為了實現(xiàn)盡可能低的傳導損耗,該驅(qū)動器能夠向 SiC MOSFET 器件提供最大允許柵極電壓。通過在導通和關(guān)斷期間提供高峰值電流,開關(guān)損耗也降到了最低。
NCV51705 - 低端開關(guān)配置:
主要特點
- 高峰值輸出電流,采用分路輸出級,允許獨立的導通/關(guān)斷調(diào)節(jié);
源能力:6 A
灌電流能力:6 A
- 擴展的正向額定電壓可在導通期間實現(xiàn)高效的 SiC MOSFET 操作
- 可調(diào)板載穩(wěn)壓充電泵
- 用于快速關(guān)斷的負電壓驅(qū)動
- 內(nèi)置負充電泵
- 用于數(shù)字振蕩器電源的可接入 5 V 基準/偏壓軌
- 可調(diào)欠壓鎖定
- 去飽和功能
- 小型、低寄生電感 QFN24 封裝,帶可濕性側(cè)翼
典型應用
- 驅(qū)動用于汽車應用的 SiC MOSFET
- 汽車逆變器、轉(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動器
- PFC、AC 至 DC 和 DC 至 DC 轉(zhuǎn)換器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號: LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關(guān)應用中提供卓越的性能,具有低導通狀態(tài)電壓和最小的開關(guān)損耗,優(yōu)化了在汽車應用中硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲的性能。技術(shù)…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關(guān)應用中提供出色的性能。低導通電壓和最小開關(guān)損耗在汽車應用中提供最佳的硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲性能。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應用于電力電子設備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開關(guān)和導通損耗,可在太陽能逆變器、UPS和ESS等各種應用中實現(xiàn)高效率運行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機預驅(qū)動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅(qū)動應用設計。電話咨詢:86-755-83294757
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