商品名稱:P 溝道 MOSFET
品牌:ON
年份:24+
封裝:5-DFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:18800 件
NVMFS9D6P04M8LT1G是一款單 P 溝道功率MOSFET。
特點(diǎn)
占用空間小,設(shè)計(jì)緊湊
低 RDS(on),可將傳導(dǎo)損耗降至最低
低電容,將驅(qū)動(dòng)器損耗降至最低
NVMFWS9D6P04M8L - 可濕側(cè)面產(chǎn)品
通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證并可執(zhí)行 PPAP
這些器件無(wú)鉛、無(wú)鹵素/無(wú)溴化阻燃劑,符合 RoHS 規(guī)范
產(chǎn)品屬性
FET 類型: P 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 40 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :17.1A(Ta),77A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 9.5 毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 2.4V @ 580μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 14.47 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 2002 pF @ 20 V
功率耗散(最大值): 3.7W(Ta),75W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
等級(jí): 汽車級(jí)
資質(zhì): AEC-Q101
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封裝/外殼: 8-PowerTDFN,5 引線
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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