STM32H7S3L8H6H 是 32 位 600MHz Arm Cortex-M7 微控制器。STM32H7 微控制器支持高達 WSVGA 分辨率的 2D 圖形用戶界面,CPU 負載有限,可將更多資源用于實時任務。
特點
在實時、高性價比 MCU 上實現類似 MPU 的應用
頻率為 600MHz 的 Arm Cortex-M7 啟動閃存 MCU(3174 CoreMark)
通過內部和外部存儲器實時執(zhí)行
高速串行和并行存儲器接口
xSPI、FMC 和 SDIO,可連接任何類型的存儲器
2x USB-FS/HS,帶 USB-C? 電源傳輸 (UCPD) 和 I3C
更大的設計自由度
無限的外部存儲器容量
通用產品線有 10 種封裝選項,可滿足應用的技術要求并實現最佳成本效益
提供兩條產品線:通用產品線和圖形產品線
64KB 引導閃存(Userflash),可簡化引導并提高靈活性
應用
用于智能工業(yè)應用的物聯網:網關、無頭通信系統、機器人、安全系統和傳感器融合
家用和專業(yè)電器:廚房電器、吸塵器、機器人草坪車、空氣凈化器和恒溫器
醫(yī)療保?。簲底纸】怠⑨t(yī)療成像和治療設備
型號
品牌
封裝
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描述
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意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進的專有溝槽柵場截止結構開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數特性和緊密的參數分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進專有溝槽柵場截止結構的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現傳導損耗和開關損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉換器的效率。其最大結溫為175C,具有無尾關斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進的專有溝柵場運算結構開發(fā),旨在實現傳導和開關損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統。其正的溫度系數VCE(sat)和嚴格的參數分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統?。其技術規(guī)格和應用場景如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產品采用先進的專有溝槽柵場截止結構,旨在優(yōu)化導通和開關損耗的平衡,從而提高任何頻率轉換器的效率?。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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