商品名稱：IAUC60N04S6N031H
數(shù)據(jù)手冊：
IAUC60N04S6N031H.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：PG-TDSON-8-56
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：3000 件
IAUC60N04S6N031H是一款60A 40V 雙N 通道MOSFET，采用PG-TDSON-8-56無引線封裝。Infineon OptiMOS? 5功率MOSFET的設計符合提升系統(tǒng)效率的需求，同時可降低系統(tǒng)成本。該產(chǎn)品采用新型硅技術，經(jīng)優(yōu)化可達到并超過能源效率和功率密度要求。
產(chǎn)品規(guī)格：
技術：MOSFET（金屬氧化物）
配置：2 個 N 通道（半橋）
FET 功能：-
漏源電壓（Vdss）：40V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：60A（Tj）
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：3.1 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 25μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：30nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1922pF @ 25V
功率 - 最大值：75W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：8-PowerVDFN
供應商器件封裝：PG-TDSON-8-56
基本產(chǎn)品編號：IAUC60
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要，在這些應用中，價格/性能、實時響應性、計算能…
FP75R12KT4-B16
FP75R12KT4-B16 是英飛凌推出的 IGBT 功率模塊，屬于 EconoPIM? 3 系列，采用 三相反相器配置，適用于 工業(yè)電機驅動、變頻器、UPS 電源 等高功率應用。
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FP75R12KT4B16 是英飛凌推出的 IGBT 功率模塊，屬于 EconoPIM? 3 系列，采用 三相反相器配置，適用于 工業(yè)電機驅動、變頻器、UPS 電源 等高功率應用。
F3L600R10W4S7F-C22
F3L600R10W4S7F-C22 帶有 TRENCHSTOP? IGBT7 和 CoolSiC? 肖特基二極管和 PressFIT / NTC 的 EasyPACK? 模塊特征? 電氣特性- VCES = 950 V- IC 標稱 = 600 A / ICRM = 800 A- CoolSiCTM 肖特基二極管第 5 代- TRENCHSTOPTM IGBT7- Tvj,op = 150C? 機械特性- CTI >
FF900R17ME7-B11
FF900R17ME7-B11搭載TRENCHSTOP? IGBT7 第七代發(fā)射極控制二極管、NTC、PressFIT壓接技術，還可預涂熱界面材料（TIM）。FF900R17ME7-B11具有最高功率密度，出類拔萃的VCE,sat，過載時Tvj op = 175C，優(yōu)化開關損耗，增強dv/dt可控性，改善二極管軟度和Erec損耗，增強對宇宙…
FF600R12ME7-B11
FF600R12ME7-B11 是 EconoDUAL?3 模塊，帶有 TRENCHSTOP?IGBT7 和發(fā)射極受控 7 二極管和 NTC。特點電氣特性VCES = 1200 VIC 額定值 = 600 A / ICRM = 1200 A集成溫度傳感器Trenchstoptm IGBT7正溫度系數(shù) VCEsat機械特性高功率密度隔離底板PressFIT 觸點技術標準外殼潛在…電話咨詢：86-755-83294757
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