商品名稱:ARM 微控制器 - MCU
品牌:ST
年份:24+
封裝:UFBGA-100
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
STM32H533VEI6 器件是 STM32H5 系列的高性能微控制器,基于高性能 Arm? Cortex?-M33 32 位 RISC 內(nèi)核。它們的工作頻率高達(dá) 250 MHz。
Cortex?-M33 內(nèi)核具有單精度浮點(diǎn)運(yùn)算單元 (FPU),支持所有 Arm? 單精度數(shù)據(jù)處理指令和所有數(shù)據(jù)類型。
Cortex?-M33 內(nèi)核實(shí)現(xiàn)了全套 DSP(數(shù)字信號(hào)處理)指令和內(nèi)存保護(hù)單元 (MPU),從而提高了應(yīng)用的安全性。
STM32H533VEI6 的特性
帶 TrustZone? 的 Arm? Cortex?-M33 CPU,F(xiàn)PU,頻率高達(dá) 250 MHz,MPU,375 DMIPS
高達(dá) 512 Kbytes 的嵌入式閃存,帶 ECC,兩組同時(shí)讀寫
數(shù)據(jù)閃存每組高達(dá) 48 KB,具有高循環(huán)能力(100 K 周期
2 千字節(jié) OTP(一次性可編程)
272 千字節(jié) SRAM(80 千字節(jié) SRAM2,帶 ECC)
在低功耗模式下提供 2 千字節(jié)備份 SRAM
靈活的外部存儲(chǔ)器控制器,數(shù)據(jù)總線高達(dá) 16 位: SRAM、PSRAM、FRAM、NOR/NAND 存儲(chǔ)器
一個(gè) Octo-SPI 存儲(chǔ)器接口,支持串行 PSRAM/NAND/NOR、超 RAM/閃存幀格式
一個(gè) SD/SDIO/MMC 接口
兩個(gè) 12 位 ADC,12 位時(shí)高達(dá) 5 Msps
一個(gè)雙通道 12 位 DAC
數(shù)字溫度傳感器
電壓基準(zhǔn)緩沖器
Arm? TrustZone? 帶有 Armv8-M 主線安全擴(kuò)展
多達(dá)八個(gè)可配置的 SAU 區(qū)域
TrustZone? 感知和安全外設(shè)
具有安全調(diào)試驗(yàn)證的靈活生命周期方案
SESIP3 和 PSA 3 級(jí)認(rèn)證保證目標(biāo)
預(yù)配置不可變信任根(ST-iROT)
SFI(安全固件安裝)
獨(dú)特的啟動(dòng)入口和安全隱藏保護(hù)區(qū)(HDP)確保信任根
通過硬件唯一密鑰(HUK)實(shí)現(xiàn)安全數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
通過 TF-M 支持安全固件升級(jí)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來溝通確認(rèn)。
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答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級(jí)溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時(shí)為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場(chǎng)運(yùn)算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場(chǎng)景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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