STM32H533ZET6 器件是 STM32H5 系列的高性能微控制器,基于高性能 Arm? Cortex?-M33 32 位 RISC 內核。它們的工作頻率高達 250 MHz。
Cortex?-M33 內核具有單精度浮點運算單元 (FPU),支持所有 Arm? 單精度數據處理指令和所有數據類型。
Cortex?-M33 內核實現(xiàn)了全套 DSP(數字信號處理)指令和內存保護單元 (MPU),從而提高了應用的安全性。
STM32H533ZET6 的特性
帶 TrustZone? 的 Arm? Cortex?-M33 CPU,F(xiàn)PU,頻率高達 250 MHz,MPU,375 DMIPS
高達 512 Kbytes 的嵌入式閃存,帶 ECC,兩組同時讀寫
數據閃存每組高達 48 KB,具有高循環(huán)能力(100 K 周期
2 千字節(jié) OTP(一次性可編程)
272 千字節(jié) SRAM(80 千字節(jié) SRAM2,帶 ECC)
在低功耗模式下提供 2 千字節(jié)備份 SRAM
靈活的外部存儲器控制器,數據總線高達 16 位: SRAM、PSRAM、FRAM、NOR/NAND 存儲器
一個 Octo-SPI 存儲器接口,支持串行 PSRAM/NAND/NOR、超 RAM/閃存幀格式
一個 SD/SDIO/MMC 接口
兩個 12 位 ADC,12 位時高達 5 Msps
一個雙通道 12 位 DAC
數字溫度傳感器
電壓基準緩沖器
Arm? TrustZone? 帶有 Armv8-M 主線安全擴展
多達八個可配置的 SAU 區(qū)域
TrustZone? 感知和安全外設
具有安全調試驗證的靈活生命周期方案
SESIP3 和 PSA 3 級認證保證目標
預配置不可變信任根(ST-iROT)
SFI(安全固件安裝)
獨特的啟動入口和安全隱藏保護區(qū)(HDP)確保信任根
通過硬件唯一密鑰(HUK)實現(xiàn)安全數據存儲
通過 TF-M 支持安全固件升級
型號
品牌
封裝
數量
描述
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意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進的專有溝槽柵場截止結構開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數特性和緊密的參數分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進專有溝槽柵場截止結構的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現(xiàn)傳導損耗和開關損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉換器的效率。其最大結溫為175C,具有無尾關斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進的專有溝柵場運算結構開發(fā),旨在實現(xiàn)傳導和開關損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數VCE(sat)和嚴格的參數分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術規(guī)格和應用場景如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產品采用先進的專有溝槽柵場截止結構,旨在優(yōu)化導通和開關損耗的平衡,從而提高任何頻率轉換器的效率?。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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