IGLR65R200D2氮化鎵功率晶體管可提高高頻工作時的效率。作為 CoolGaN? 650 V G5 系列的一部分,它符合最高質量標準,實現了具有卓越效率的高可靠性設計。
它采用底部冷卻 ThinPAK 封裝,非常適合外形纖薄的消費類應用。
IGLR65R200D2特性概述:
650 V 電子模式功率晶體管
超快開關
無反向恢復電荷
能夠反向傳導
低柵極電荷、低輸出電荷
卓越的換向堅固性
低動態(tài) RDS(on)
高 ESD 魯棒性:2 kV HBM - 1 kV CDM
底部冷卻封裝
通過 JEDEC 認證(JESD47、JESD22)
IGLR65R200D2規(guī)格:
產品種類: GaN 場效應晶體管
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 9.2 A
Rds On-漏源導通電阻: 240 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.6 V
Qg-柵極電荷: 1.8 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 33 W
通道模式: Enhancement
封裝 / 箱體: PG-TSON-8
IGLR65R200D2潛在應用:
基于半橋硬開關和軟開關拓撲(如圖騰開關)的工業(yè)、電信、數據中心 SMPS 以及充電器和適配器。以及充電器和適配器。
型號
品牌
封裝
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