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英飛凌采用TO-Leadless封裝的OptiMOS?功率MOSFET為高達300A的大電流應用進行了優(yōu)化，如叉車、輕型電動車（LEV）、電動工具、負載點（POL）、電信和電子保險絲。此外，封裝尺寸縮小了60%，使其設計非常緊湊。與D2PAK 7-pin相比，TO-Leadless的占地面積大幅減少30%。高度減少了50%，在狹窄的應用中具有明顯的優(yōu)勢，如機架或刀片服務器。

IPT015N10N5產(chǎn)品規(guī)格：

系列：OptiMOS?

FET 類型： N 通道  

技術： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 100 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：300A（Tc）  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 1.5 毫歐 @ 150A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 3.8V @ 250μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 211 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 16000 pF @ 50 V  

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）： 375W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應商器件封裝： PG-HSOF-8-1  

封裝/外殼： 8-PowerSFN  

基本產(chǎn)品編號： IPT015

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