商品名稱:IMBG65R083M1HXTMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):IMBG65R083M1HXTMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-263-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5000 件
650V 晶體管 IMBG65R083M1HXTMA1 碳化硅 MOSFET 單管 TO-263-8
IMBG65R083M1HXTMA1的產(chǎn)品屬性
晶體管類型: N-溝道
技術(shù): SiCFET (碳化硅)
漏極至源極電壓(Vdss): 650 V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°C: 28A (Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大Rds On,最小Rds On): 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Vgs(th)(最大)@ Id: 5.7V @ 3.3mA
柵極電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 19 nC @ 18 V
Vgs(最大): +23V,-5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 624 pF @ 400 V
功率耗散(最大): 126W (Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝: PG-TO263-7-12
封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7引線+焊片),TO-263CA
IMBG65R083M1HXTMA1的特點(diǎn)
低Qrr和Qoss
低開(kāi)關(guān)損耗
換向穩(wěn)健的快速體二極管
先進(jìn)的溝槽技術(shù),具有出色的柵極氧化物可靠性
XT互連技術(shù),具有卓越的熱性能
增強(qiáng)的雪崩能力
SMD封裝,可直接集成到PCB上
用于優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能的感測(cè)引腳
IMBG65R083M1HXTMA1是碳化硅MOSFET單管,采用緊湊的7引腳SMD封裝,旨在提高系統(tǒng)性能,減小尺寸并提高可靠性。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…TLD2314EL
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CY8C4248BZI-L479器件是一款基于ARM Cortex-M0內(nèi)核的32位微控制器,工作頻率為48MHz。該器件具有具有256 kb的Flash和32 kb的SRAM?;緟?shù)核心處理器:ARM Cortex-M0內(nèi)核規(guī)格:32 位單核速度:48MHz連接能力:I2C,IrDA,LINbus,Microwire,智能卡,SPI,SSP,UART/USA…電話咨詢:86-755-83294757
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