商品名稱:IPBE65R075CFD7AATMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):IPBE65R075CFD7AATMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5000 件
IPBE65R075CFD7AATMA1是650V的CoolMOS? N溝道汽車級(jí)SJ功率MOSFET CFD7A,具有更高的可靠性和功率密度,并增強(qiáng)了設(shè)計(jì)靈活性。
IPBE65R075CFD7AATMA1的產(chǎn)品屬性
晶體管類型: N-溝道
技術(shù): MOSFET (金屬氧化物)
漏極至源極電壓(Vdss): 650 V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°C: 32A (Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大Rds開啟,最小Rds開啟): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id: 4.5V @ 820μA
柵極電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 68 nC @ 10 V
Vgs(最大): ±20V
輸入電容(Ciss)(最大)@ Vds: 3288 pF @ 400 V
功率耗散(最大): 171W (Tc)
操作溫度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝: PG-T263-7-3-10
封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6條引線+接片),TO-263CB
IPBE65R075CFD7AATMA1的特點(diǎn)
高質(zhì)量和可靠性
100%雪崩測(cè)試
增加了封裝的爬電距離
電池電壓高達(dá)475V而不影響可靠性標(biāo)準(zhǔn)
硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的效率提高達(dá)98.4%。
固有的快速體二極管Qrr比CoolMOS? CFDA低30%。
晶體管 IPBE65R075CFD7AATMA1 TO-263-7 汽車級(jí) MOSFET 晶體管 650V
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開關(guān)應(yīng)用中提供無(wú)與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢(shì)和技術(shù)規(guī)格:產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)具有出色的效率,降低結(jié)溫和外殼溫度,從而提高設(shè)備可靠性母線電壓可提升50V,同時(shí)不影響可靠性更高的功率密度設(shè)…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢(shì)和技術(shù)規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢(shì)面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計(jì)降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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