商品名稱:CY8C4125PVS-S422T
數(shù)據(jù)手冊:CY8C4125PVS-S422T.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:28-SSOP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
CY8C4125PVS-S422T 的 Cortex-M0+CPU 是 32 位 MCU 子系統(tǒng)的一部分,該子系統(tǒng)針對低功耗運行進行了優(yōu)化,具有廣泛的時鐘門控功能。大多數(shù)指令長度為 16 位,CPU 執(zhí)行 Thumb-2 指令集的一個子集。它包括一個嵌套矢量中斷控制器塊和八個中斷輸入,還包括一個喚醒中斷控制器。
功能特點
電容感應
提供的軟件組件使電容式傳感設計變得簡單
自動硬件調整
LCD 驅動能力
GPIO 上的 LCD 段驅動功能
串行通信
三個獨立的運行時可重新配置串行通信模塊,具有可重新配置的 I2C、SPI、UART 或 LIN 從站功能
定時和脈寬調制
五個 16 位定時器/計數(shù)器/脈寬調制器塊
中心對齊、邊緣和偽隨機模式
基于比較器的 Kill 信號觸發(fā),用于電機驅動和其他高可靠性數(shù)字邏輯應用
多達 38 個可編程 GPIO 引腳
24 引腳 QFN、28 引腳 SSOP、40 引腳 QFN 和 48 引腳 QFN 封裝
任何 GPIO 引腳都可以是 CapSense、模擬或數(shù)字引腳
驅動模式、強度和壓擺率均可編程
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開關應用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格:產品優(yōu)勢具有出色的效率,降低結溫和外殼溫度,從而提高設備可靠性母線電壓可提升50V,同時不影響可靠性更高的功率密度設…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應用領域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。技術參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。其特征和技術規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設計降低電磁干擾技術規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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