東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新推出采用S-VSON4T封裝的光繼電器——“TLP3414S”與“TLP3431S”，具有比東芝現有產品更快的導通時間。TLP3414S與TLP3431S的斷態(tài)輸出端電壓和通態(tài)電流額定值分別為40 V/250 mA和20 V/450 mA。新型光繼電器通過提…
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新推出采用S-VSON4T封裝的光繼電器——“TLP3414S”與“TLP3431S”，具有比東芝現有產品更快的導通時間。TLP3414S與TLP3431S的斷態(tài)輸出端電壓和通態(tài)電流額定值分別為40 V/250 mA和20 V/450 mA。
新型光繼電器通過提高輸入側紅外LED的光輸出并優(yōu)化光電探測器（光電二極管陣列）的設計，可實現高效的光耦合，將導通時間最大值縮短至150 μs。TLP3414S的導通時間比東芝現有產品TLP3414縮短約50 %，TLP3431S的導通時間比東芝現有產品TLP3431縮短約62 %。
此外，當輸出打開時，這兩款產品的導通電阻會影響信號衰減（TLP3414S：最大值3 Ω，TLP3431S：最大值1.2 Ω）；當輸出關閉時，輸出電容會影響高頻信號泄漏（兩款產品均為典型值6.5 pF）。新產品與東芝現有產品相當，確保了穩(wěn)定的信號傳輸。
新產品適用于半導體測試設備中的引腳電子應用，可在開關信號的同時以高精度高速測量待測設備（DUT）。
新產品由于采用小型S-VSON4T封裝，與東芝現有產品的VSON4封裝相比表貼面積減少了約20 %，有助于實現半導體測試設備和其他設備的小型化。
東芝將繼續(xù)提供更多高性能產品，以滿足半導體測試設備對更高性能和更快速度的需求。
應用：
半導體測試設備（高速存儲器測試設備、高速邏輯測試設備等）
探測卡
測量設備
特性：
高速導通時間：tON＝150 μs（最大值）
低導通電阻：
TLP3414S RON＝3 Ω（最大值）
TLP3431S RON＝1.2 Ω（最大值）
小型S-VSON4T封裝：1.45 mm×2.0 mm（典型值），厚度＝1.3 mm（典型值）
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